Vishay 推出采用 PowerPAK® SO-8S（QFN 6 x 5）封裝的全新 150 V TrenchFET® Gen V N 溝道功率 MOSFET，旨在提高通信、工業和計算應用領域的效率和功率密度。與上一代采用 PowerPAK SO-8 封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP 的總導通電阻降低了 68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中 MOSFET 的關鍵品質因數（ FOM ）降低了 15.4 %，RthJC 降低了 62.5 %，而連續漏極電流增加了 179 %。

日前發布的器件具有業內先進的導通電阻（10 V 時為 5.6 mΩ）以及導通電阻和柵極電荷乘積 FOM（336 mΩ*nC），可最大限度降低傳導造成的功率損耗。因此，設計人員能夠提高效率，滿足下一代電源的要求，例如 6 kW AI 服務器電源系統。此外，PowerPAK SO-8S 封裝具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可實現高達 144 A 的持續漏極電流，從而提高功率密度，同時提供強大的 SOA 能力。

SiRS5700DP 非常適合同步整流、DC/DC 轉換、熱插拔開關和 OR-ing 功能。典型應用包括服務器、邊緣計算、超級計算機和數據存儲；通信電源；太陽能逆變器；電機驅動和電動工具；以及電池管理系統。MOSFET 符合 RoHS 標準且無鹵素，經過 100 % Rg 和 UIS 測試，符合 IPC-9701 標準，可實現更加可靠的溫度循環。器件的標準尺寸為 6 mm × 5 mm，完全兼容 PowerPAK SO-8 封裝。