AHV85110針對驅動多種應用和拓撲中的GaNFET進行了優化。一個隔離式輸出偏置電源集成在驅動器器件中，無需任何外部驅動輔助偏置電源或自舉。這大大簡化了系統設計，并通過降低總共模（CM）電容來降低EMI。它還允許在開關電源拓撲中的任何位置驅動浮動開關。該驅動器具有快速傳播延遲和高峰值拉電流/灌電流能力，可在高頻設計中驅動GaNFET。高 CMTI 與用于偏置功率和驅動的隔離輸出相結合，使其成為需要隔離、電平轉換或接地隔離以實現抗噪性的應用的理想選擇。

• 直通集成隔離偏置
• 無外部二次側偏壓
• 快速響應啟用引腳
• 持續接通能力，無需回收IN或重新充電自舉電容器

• 50 ns傳播延遲，具有5 ns的優良器件對器件匹配
• 單獨的驅動器輸出引腳：上拉（2.8Ω）和下拉（1.0Ω）
• 電源電壓10.5 V<VDRV<13.2 V
• 通過絕緣DTI的距離≥ 450微米