高壓片式電阻器HVC系列結(jié)合了專有的細(xì)線厚膜技術(shù)和設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了SMD片式電阻器的高電壓額定值和穩(wěn)定性的新水平。與傳統(tǒng)厚膜芯片電阻器相比，Nicrom的技術(shù)具有更長、高縱橫比的低電阻率薄膜跡線。

與標(biāo)準(zhǔn)芯片電阻器相比，Nicrom的HVC系列提供了無與倫比的性能和設(shè)計(jì)效率，從而降低了電壓系數(shù)和溫度系數(shù)、降低了噪聲、更嚴(yán)格的公差、更高的穩(wěn)定性、更高電阻值和更高的電壓額定值。提供可接線鍵合的金端子和定制配置。

電阻值：所有型號(hào)從1K到高達(dá)100G（根據(jù)要求為1T）

公差：0.05%、0.1%、0.25%、0.5%、1%、2%、5%、10%、20%（0.05%適用于10G，0.25%適用于100G）

溫度系數(shù)：5、10、15、25、50和100 ppm/°C（10G可用10 ppm/°C，100G可用25 ppm/°）

工作溫度：-55…+200°C（可將溫度范圍擴(kuò)展至350°C）

絕緣電阻：>10’000 M 500 V 25°C 75%相對(duì)濕度

介電強(qiáng)度：>1'000伏25°C 75%相對(duì)濕度

熱沖擊：R/R<0.1%典型值，max.0.50% MIL Std. 202，method 107 Cond. C IEC 68 - 2 -14

過載：R/R<0.1%典型值，0.50%max.1,5 x Pnom，5秒（不超過MAX電壓）

防潮性：R/R<0.1%典型值，max.0.50%MIL標(biāo)準(zhǔn)202，方法106 IEC 68-2-3

負(fù)載壽命：R/R<0.1%典型值，額定功率下max.0.50%1000小時(shí)IEC 115-1

封裝：絲網(wǎng)印刷硅膠

核心材料

Al2O3（96%）

焊盤材料：銀（PdAg）/可粘結(jié)金/鍍錫電阻材料氧化釕