硅傳感器，是用于軍事與航空航天、工業和汽車應用。基本原理是利用半導體的壓阻效應和微機械加工技術，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴散等半導體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當受到外力作用時產生微應變，電阻率發生變化，使橋臂電阻發生變化（一對變大一對變小）在激勵電壓信號輸出，經過計算機溫度補償、激光調阻、信號放大等處理手段和嚴格的裝配檢測、標定等工藝，生產出具有標準輸出信號的壓力變送器。基于不同的傳感器技術，結合不銹鋼和各種塑料外殼材料，工業變送器幾乎適用于所有工業氣體和流體。通過各種電氣和機械連接，我們的工業壓力變送器幾乎適用于任何應用。

公稱壓力 0 至 100 毫巴至 0 至 6 bar

精度 0.5 % FSO

硅傳感器，無介質隔離

輸出信號 / 電源選項 3 線制：0 至 10 V / V_S = 14 至 30 V_DC

產地：德國

輸入壓力范圍

額定壓力表 [巴]：-1 至 0；0,1；0,25；0,4；0,6；1；1,6；2,5；4；6

超壓 [bar]：3；0,5；1；1；3；3；6；10；10；20

爆破壓力 [bar]：5；1,5；3；3；3；7,5；7,5；15；25；25

輸出信號 / 電源標準 2 線制：4 至 20 mA / V_S = 8 至 32 V_DC

3 線制比率測量：10 至 V_S 的 90 % / V_S = 2.7 至 5 V_DC

精度：≤ ± 0.5 % FSO

允許負載

2 線制：R_max = [(V_S - V_{S min}) / 0.02 A] Ω

3 線：R_min = 10 kΩ

影響效應

電源：0.05 % FSO / 10 V

負載：0.05 % FSO / kΩ

響應時間

2 線：≤ 10 毫秒

3 線：≤ 3 毫秒

長期穩定性：≤ ± 0,2 % FSO / 年

測量速率：1 kHz

熱效應（偏移和跨度）

標稱壓力 pN [bar]：-1 至 0；≤ 0.4；> 0.4

公差帶 [% FSO]： ≤ ± 1；≤ ± 1；≤ ± 0.75

補償范圍：0 至 70 ℃；-20 至 85 ℃

允許溫度：-25 至 125 ℃

電子設備/環境：-25 至 85 ℃

存儲溫度：-40 至 85 ℃

短路保護：長久性

反極性保護：無損壞，但也無功能

電磁兼容性：發射和抗擾性符合 EN 61326 標準

機械穩定性

振動：10 g, 25 Hz 至 2 kHz，符合 DIN EN 60068-2-6 標準

沖擊：100 克 / 11 毫秒，符合 DIN EN 60068-2-27 標準

壓縮空氣網絡、一般機械工程