SmartMatrix 1500XP 在移動和商用 DRAM、圖形內存 (GDDR)、高帶寬內存 (HBM) 和新興內存設備上提供 300 毫米全晶圓接觸測試。 該平臺專為支持快速設計斜坡和產品路線圖而開發，擴展了經過驗證的 Matrix 架構，以解決增加的探針卡并行性問題，單次觸地時每個晶圓可多達1536 個站點。它使用 FormFactor 的端接測試儀資源擴展 (TTRE) 技術在 x16 TRE 共享組信號上支持更快的測試速度/時鐘速率，從 125 MHz 到 200 MHz。 SmartMatrix 1500XP 能夠在 -40°C 至 160°C 范圍內測試汽車半導體高溫要求。

SmartMatrix 1500XP 的高性能和較短的交付時間為當今的 DRAM 和存儲設備實現了產量優化和更快的上市時間。

DRAM測試更高的并行度、更高的效率和更低的成本

• 通過使用 ATRE 在一次著陸時同時測試 1500 多個 DUT 來提高吞吐量
• 在不影響信號保真度的情況下將測試速度從 125 MHz 提高到 200 MHz

具有頂部位置和性能的堅固 3D MEMS 彈簧

• 可擴展的 3D MEMS MicroSpring 技術支持靈活的焊盤布局和接觸性能
• 使接觸墊幾何收縮與技術節點過渡到 1x、1y 和 1z nm 節點一致
• 具有大 3D 彈簧橫截面的載流能力

良好的熱性能和設計靈活性

• 具有各種 CTE 的全晶圓接觸器基板，針對單溫度和雙溫度設計進行了優化
• 通過在單一溫度設計上實現 50% 以上的保溫時間減少來提高測試單元效率
• 采用晶圓后技術的 FormFactor 3D MEMS MicroSpring 可實現汽車要求的 160C 測試

生產正常運行時間長

• 在批量生產環境中始終實現超過 95% 的正常運行時間

易用性和可維護性

• 使用測試單元上的探針卡進行實時平面度調整和優化功能

• 現場單彈簧維修和探頭更換能力可減少服務事件的時間損失并提高設備效率